背散射电子

编辑:调运网互动百科 时间:2020-03-30 23:41:38
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背散射电子是被固体样品中的原子核反弹回来的一部分入射电子。其中包括弹性背散射电子和非弹性背散射电子。[1] 
中文名
背散射电子
外文名
back scattered electron
分    类
弹性,非弹性
相关介绍
背散射电子成像

目录

背散射电子概述

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背散射电子(back scattered electron)
电子束照射样品时,入射电子在样品内遭到衍射时,会改变方向,甚至损失一部分能量(在非弹性散射的情况下)。在这种弹性和非弹性散射的过程中,有些入射电子累积散射角超过90度,并将重新从样品表面逸出。那么背散射电子就是由样品反射出来的初次电子,其主要特点是: 能量很高,有相当部分接近入射电子能量 E 0 ,在试样中产生的范围大,像的分辨率低。 背散射电子发射系数 η =I B /I 0 随原子序数增大而增大。 作用体积随入射束能量增加而增大,但发射系数变化不大。
背散射电子 背散射电子

背散射电子分类

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1、弹性背散射电子。
弹性背散射电子是指被样品中原子核反弹回来的,散射角大于90°的那些入射电子,其能量没有损失(或基本没有损失)。由于入射电子的能量很高,所以弹性背散射电子的能量能达到千到数万电子伏
2、非弹性背散射电子。
非弹性背散射电子是入射电子和样品核外电子撞击后产生的非弹性散射,不仅方向改变,能量也有不同程度的损失。如果有些电子经多次散射后仍能反弹出样品表面,这就形成非弹性背散射电子。其能量分布范围很宽,从数十电子伏到数千电子伏。[1] 

背散射电子相关介绍

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背散射电子成像(Back scattered Electron Imaging,简称BSE)是依托扫描电镜的一种电子成像技术,它的成像原理和特点非常适合用来研究那些表皮尚存的各类笔石标本,是二次电子成像(SEM)无法替代的。当前BSE图象显示了许多以往其他途径无法观察到的笔石微细结构,特别是笔石复杂的始端发育特征,结果验证了Psigraptus jacksoni的二分岔式和Rhabdinopora flabelliformis parabola的四分岔式原始分枝的观点,显示它们都具有最原始的等。
背散射电子成像的衬度是由于原子序数的不同引起的,所以背散射电子一般用于区别不同的相,用来看金相试样的不同区。[1] 
参考资料
  • 1.    周玉.材料分析方法.北京:机械工业出版社,2009:216-217
词条标签:
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